Synopsys Tcad Taurus Tsuprem4 2006.06 SP1 Linux 流程仿真工具

Synopsys Tcad Taurus Tsuprem4 2006.06 Linux整合了原Synopsys的Taurus-Process和TSUPREM-4。TSUPREM-4是用来模拟硅集成电路和离散器件制造工艺步骤的程序，可以模拟2-D器件的纵剖面的杂质 掺入和再分布情况，程序可以提供如下信息：
    1、结构中各材料层的边界；
    2、每层的杂质分布；
    3、氧化，热循环，薄膜淀积产生的应力
    Taurus-Process可以模拟1、2、3-D结构的工艺仿真器，可以仿真制造半导体器件的工艺步骤，仿真能力主要集中在前端工艺（氧化、硅化物的离子注入、激活、退火），模拟器允许设置任意的初始几何结构，刻蚀和淀积的仿真局限于简单的可以从初始结构和工艺描述推导的几何操作，不能进行物理化学刻蚀、淀积工艺的仿真。Taurus-Process可以提供下面的功能：
    1、制造工艺的1、2、3-D结构和杂质剖面仿真；
    2、工艺过程中产生的机械应力分析；
    3、工艺仿真过程的网格自适应；
    4、工艺仿真过程的新的方程和模型的选定和使用
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::::::English Description::::::

Synopsys Tcad Taurus Tsuprem4 2007.03 Linux is an advanced 1D and 2D process simulator for developing semiconductor process technologies and optimizing their performance. With a comprehensive set of advanced process models, Taurus TSUPREM-4 simulates the process steps used for fabricating semiconductor devices, reducing the need for costly experiments using silicon. In addition, Taurus TSUPREM-4 has extensive stress modeling capabilities, allowing optimization of stress to increase device performance.

Benefits
Develop leading-edge CMOS, bipolar, and power-device manufacturing processes cost-effectively
 

Predict 1D and 2D device structure characteristics by accurately simulating ion implantation, diffusion, oxidation, silicidation, epitaxy, etching, and deposition processing, reducing experimental runs and technology development time
 

Analyze stress history in all layers as a result of thermal oxidation, silicidation, thermal mismatch, etching, deposition, and stress relaxation
 

Study impurity diffusion, including oxidation-enhanced diffusion (OED), transient-enhanced diffusion (TED), interstitial clustering, dopant activation, and dose loss

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